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       在外延成長領域，高純石墨盤是必不可少的。它在外延成長中起到加熱和裝載半導體晶圓的作用。現在，主流外延設備廠商配套的石墨盤在結構上基本相同，均采用在石墨盤基座上規劃一個晶圓形狀的淺凹槽的方式來裝載晶圓。這種規劃在成長小尺度的晶圓(比如說4寸半導體晶圓)來說是合理的，保護起來也很方便。但對于成長大尺度的外延片，基于下降晶圓被旋轉的石墨盤甩出的風險，晶圓槽底部相對于石墨盤頂部的高度比小尺度石墨盤大一些。
這種規劃導致了成長大尺度外延片尤其是厚膜外延片出現了以下幾個問題：
        1.由于石墨盤與晶圓接觸區域較多，在成長厚膜外延片時，沉積的外延層會添加石墨盤與半導體晶圓的粘接，使得成長完成后將外延片從石墨盤中無損傷取出較為困難，乃至可能導致裂片。
        2.因晶圓邊際處較高的臺階使得該區域存在氣體湍流，容易滯留較多的成長氣體，然后使得外延片厚度和載流子濃度均勻性較差。
        3.因外延爐一般采用射頻感應加熱，熱量傳遞的方向是沿著石墨盤徑向從邊際到中心，使得石墨盤邊際的溫度高于中心區域的溫度，這在大尺度外延成長中尤為杰出。

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